Электронные компоненты и электротехническая продукция в Саратове

Транзистор биполярный MJD45H11T4G

22
+

Характеристики товара

Производитель:
Артикул:
127469
Остаток на складе:
1736
Способ монтажа:
Поверхностный
Корпус:
TO-252 (DPAK)
Упаковка:
REEL, 2500 шт.
Вес брутто:
0.47
Транспортная упаковка: размер/кол-во:
39*39*39/2500
Тип проводимости:
PNP
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В:
-80
Максимальный постоянный ток коллектора, А:
-8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт:
50
Коэффициент усиления hFE мин.:
40
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В:
-5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В:
-1
Граничная частота ft, МГц:
40
MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G

Похожие товары

Транзистор биполярный MJD42C Транзистор биполярный MJD42C
Остаток на складе:
2450
15
+
Транзистор биполярный MJD127T4G Транзистор биполярный MJD127T4G
Остаток на складе:
9450
13
+
Транзистор биполярный 45H11 Транзистор биполярный 45H11
Остаток на складе:
975
26
+
Транзистор биполярный MJD117 Транзистор биполярный MJD117
Остаток на складе:
1550
11
+
0.17 с