MJD127T4G
12
₽
Характеристики товара
Производитель:
Артикул:
125412
Остаток на складе:
9650
Способ монтажа:
Поверхностный
Корпус:
TO-252 (DPAK)
Тип:
Составной транзистор (Дарлингтона)
Упаковка:
REEL, 2500 шт.
Вес брутто:
0.53
Транспортная упаковка: размер/кол-во:
41*41*39/10000
Тип проводимости:
PNP
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В:
-100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В:
-100
Максимальный постоянный ток коллектора, А:
-8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт:
20
Коэффициент усиления hFE мин.:
1000
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В:
-5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В:
-4
Коэффициент усиления hFE макс.:
20000
Граничная частота ft, МГц:
4
MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
Похожие товары
Вы недавно смотрели:
