MJD45H11T4G
21
₽
Характеристики товара
Производитель:
Артикул:
127469
Остаток на складе:
1900
Способ монтажа:
Поверхностный
Корпус:
TO-252 (DPAK)
Упаковка:
REEL, 2500 шт.
Вес брутто:
0.47
Транспортная упаковка: размер/кол-во:
39*39*39/2500
Тип проводимости:
PNP
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В:
-80
Максимальный постоянный ток коллектора, А:
-8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт:
50
Коэффициент усиления hFE мин.:
40
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В:
-5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В:
-1
Граничная частота ft, МГц:
40
MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G
Вы недавно смотрели:
